Inhalt der Vorlesung
Die Vorlesung umfasst insgesamt 15 Doppelstunden mit den folgenden Schwerpunkten:
TEIL A - Grundlagen der Keimbildung und des Schichtwachstums
- Schichtwachstum
- Oberflächendiffusion
- Atomistische Theorie der Keimbildung
- Wachstumsformen von stabilen Keimen und Inseln
TEIL B - Beschichtungsverfahren
- Molekularstrahlepitaxie (MBE)
- Metallorganische Gasphasenabscheidung (MO-CVD)
- Atomlagenabscheidung (ALD)
Literatur
Link zum OPAL-Kurs mit ergänzenden Vorlesungsunterlagen und Praktikumsbeschreibungen
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Vakuumbeschichtungsanlage für die Atomlagenabscheidung (ALD = atomic layer deposition) an der Westsächsischen Hochschule Zwickau (WHZ).
Schematische Darstellung der Prozessschritte bei der ALD.
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